韓国技術者の技術漏洩事件

サムスン電子の18ナノDRAM国家核心技術を中国の長鑫存儲技術（CXMT）に持ち出した容疑により1審で懲役7年を宣告された元サムスン電子部長のチョン氏が9日に法廷で初めて公開謝罪した。

彼が「サムスンマン」の名札をはずしたのは2015年だった。半導体業界関係者は「当時メモリー業況が悪化すると人材が会社を去り、そのうちの相当数が中国企業へ渡った」と話した。

実際にCXMTは破格な報酬を掲げた。チョン氏もCXMT最高技術責任者（CTO）の通訳の提案を受け設備投資担当として中国・合肥に渡った。サムスン電子出身エンジニアも相次いで合流した。彼らには既存の年俸の最小2倍以上が提示され、一部は最大30億ウォンまで保証されたという。

チョン氏によると、CXMTが初めて作った18ナノDRAMプロセスレシピプランは完成度が低かった。このプランは半導体をどのような装備でどのような順序と条件で作るのかを盛り込んだ「製造レシピ」だ。

雰囲気が変わったのはサムスン電子で18ナノDRAMプロセスを経験した工程設計エンジニアのパク氏が合流した後だった。パク氏は退社前に関連工程情報をノートに手書きで写していたことが調査で明らかになった。パク氏の合流後、615件に達するCXMTのレシピプランが速やかに完成され、その順序もほとんど変わらなかった。

CXMTには2018年に1兆5000億ウォン規模の「ワンパス投資」がなされた。ワンパス投資とは半導体生産ラインを構築する際に目標生産能力に必要な装備を一気に発注して投じる方式だ。彼は「成功が保障される確実なプランでなければワンパス投資は断行できない。サムスン電子のプランだと100％確信した」と証言した。

だがこうした違法行為は2022年に尻尾を捕まれた。CXMT第1期開発室長であるキム氏が他の国産半導体蒸着装備技術流出事件にかかわっていた。サーバー捜索過程でサムスン電子の18ナノDRAMのレシピプランを撮影した写真を含むファイルが見つかり捜査は急流に乗った。

キム氏が拘束されると、中国にいたパク氏はチョン氏に「紙の出力物が問題になりそうだ」「写真を撮るなと言ったのに撮った」として開発室長を恨んだという。パク氏はその後潜伏し現在中国で逃走中だ。チョン氏と第2期開発室長ヤン氏ら10人も相次いで捕まり起訴された。

巨額の報酬を求めて中国に向かったが最後は華麗でなかった。業界によると、高額年俸を得て中国の半導体企業に転職した韓国人エンジニアの相当数は、核心技術移転と工場構築が終わると3～4年で追い出された。帰国後は捜査のため業界での再就職の道が閉ざされ無職で過ごしたり、家族にすら捜査の事実を隠したまま裁判を継続する場合もあるという。

中国最大のDRAMメーカーである長鑫存儲科技（CXMT）が上海の科創板（STAR Market）上場によって約295億元（6兆7000億ウォン）を調達し、グローバルのメモリー半導体業界で勢力図の変化が起こるかもしれない。今後はHBMもやろうとしている。その裏でサムソン技術者の引き抜きがあったとは。

実はCXMTは私にも声をかけている。もちろん半導体ではない。半導体材料である。金が余っているらしい。でもこんな話を聞くとこことは止めた方がよさそうだ。